晶體振蕩器作為高穩(wěn)定的時鐘源,是多種設(shè)備的關(guān)鍵部件。它被廣泛應(yīng)用在移動通信、無線電通信、工業(yè)測量等各種應(yīng)用上。這些應(yīng)用和設(shè)備高速、大量數(shù)據(jù)傳輸?shù)内厔?,使得?/span>頻晶體振蕩器的需求不斷增長。
基極接地的共基電容三點(diǎn)式晶體振蕩器的輸出頻率由晶體諧振器和兩個外接電容生成,它具有良好的短期穩(wěn)定度。然而,在高頻率范圍,振蕩回路的電容很小,晶體管的寄生參量,如極間電容、極間電阻等影響變大。這使得振蕩器的穩(wěn)定性下降。因此在電路設(shè)計中,
我們需要減小晶體管寄生參量的影響。這可以通過減小晶體管各端極之間的介入系數(shù)P 來實(shí)現(xiàn)。
在本文中,我們將先介紹典型的共基電容三點(diǎn)式晶體振蕩器電路,然后介紹減小晶體管各端極之間的介入系數(shù)P 的方法,最后展示用該方案設(shè)計的433MHz SAW 振蕩器。
共基電容三點(diǎn)式晶體振蕩器電路具有良好的高頻特性,適用于高頻工作。隨著振蕩頻率的提高,晶體管極間寄生參量的影響變大。我們通過減小晶體管各端極之間的接入系數(shù),大大減小了其寄生參量的影響,使得振蕩器的穩(wěn)定性提高。
同時,我們從433MHz SAW 振蕩器的設(shè)計中證實(shí),改進(jìn)的共基電容三點(diǎn)式晶體振蕩器電路,對于高頻范圍具有良好的效果。我們將進(jìn)一步研究提高這個電路穩(wěn)定性的方法。